基本信息
| 标准名称： | 半导体中深能级的瞬态电容测试方法 |
| 英文名称： | Test method for characterizing semiconductor deep levels by transient capacitance techniques |
| 中标分类： | 能源、核技术 >> 能源、核技术综合 >> 技术管理 |
| 发布部门： | 中华人民共和国电子工业部 |
| 发布日期： | 1994-04-11 |
| 实施日期： | 1994-10-01 |
| 首发日期： | 1900-01-01 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 归口单位： | 电子工业部标准化研究所 |
| 起草单位： | 电子工业部第四十六研究所 |
| 起草人： | 刘春香，张若愚，段曙光 |
| 出版社： | 电子工业部标准化研究 |
| 出版日期： | 2004-04-18 |
| 页数： | 6页 |
适用范围
本标准规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱(DLTS)法测量半导体材料中深能级的测试方法。
本标准适用于测量硅、砷化稼等半导体材料中杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。
由此法可得到深能级的激活能、浓度、指数前因子A等参数。本标准适用于产生指数形式电
容瞬态有关的深能级。
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所属分类： 能源 核技术 能源 核技术综合 技术管理